企业简介
![竹懋科技股份有限公司](http://img.czvv.com/logo/59cfeb1084ae3487b81d5136/59cfeb1084ae3487b81d5136.png)
竹懋科技股份有限公司的商标信息
序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
1 | 11558878 | ![]() |
CITC | 2012-09-28 | 功率放大器;二极管;发光二极管;电子管;功率因数调整器;光电管;非照明用放电管;放大管;三极管;电晶体;晶片;半导体;半导体基板;矽晶体;集成电路;电子电路;半导体晶片;半导体元平;矽晶片;晶圆 | 查看详情 |
竹懋科技股份有限公司的专利信息
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN103887168B | 萧特基整流元件的制造方法及形成方法 | 2017.03.01 | 一种萧特基整流元件的制造方法及形成方法,包含于含n‑磊晶层/n+基板形成并图案化一绝缘层以定义主动区 |
2 | TWI511305 | 萧特基整流元件之制造方法 | 2015.12.01 | |
3 | TW201501296 | 沟渠式MOS整流元件及其制造方法;STRUCTURE OF TRENCH MOS RECTIFIER AND METHOD OF FORMING THE SAME | 2015.01.01 | 一种沟渠式MOS整流元件,包含:复数个沟渠平行形成于重掺杂的n+半导体基板上的n-磊晶层内,该复数个 |
4 | TW201501298 | 沟槽型-垂直式双扩散金氧极体结构及其制造方法;STRUCTURE OF TRENCH-VERTICAL DOUBLE DIFFUSED MOS TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME | 2015.01.01 | 一种沟槽型-垂直式双扩散金氧极体结构,包含:复数个沟渠平行形成于n-磊晶层内,沟渠氧化层形成于沟渠底 |
5 | TW201501300 | 双沟渠式MOS电晶体结构及其制造方法;STRUCTURE OF DUALTRENCH MOS TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME | 2015.01.01 | 双沟渠式MOS电晶体元件的结构包含由复数个主沟渠相间以平台,形成于重掺杂的n+半导体基板上的n-磊晶 |
6 | TW201501297 | 双沟渠式整流器及其制造方法;STRUCTURE OF DUAL TRENCH RECTIFIER AND METHOD OF FORMING THE SAME | 2015.01.01 | 双沟渠式MOS整流元件的结构包含复数个主沟渠平行形成于重掺杂的n+半导体基板上的n-磊晶层内,复数个 |
7 | CN103887168A | 萧特基整流元件的制造方法及形成方法 | 2014.06.25 | 一种萧特基整流元件的制造方法及形成方法,包含于含n-磊晶层/n+基板形成并图案化一绝缘层以定义主动区 |
8 | CN103824774A | 沟渠式MOS整流器及其制造方法 | 2014.05.28 | 本发明揭示一种沟渠式MOS整流元件结构,包含:一平面MOS整流结构形成于主动区的平台上,平台相邻的一 |
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