竹懋科技股份有限公司
企业简介
  竹懋科技股份有限公司成立於西元2001年,是一家專業的分離式半導體元件製造商,主要研發生產蕭特基二極體的晶粒、晶圓和成品,產品規格涵蓋0.03A~60A、10V~300V,是目前可以提供全系列蕭特基二極體的廠商。 竹懋科技具備豐富的分離式半導體元件和製程技術經驗,擁有多項國內外半導體元件和半導體製程相關專利,高功率蕭特基二極體結構技術更獲得經濟部技術處 SBIR 績優廠商的榮譽。竹懋科技的製程技術在於運用積體電路製程解決傳統蕭特基二極體元件物理之限制,使蕭特基二極體能同時達到 Low VF / Low leakage current 與 High breakdown voltage的特性。 竹懋科技除了可以供應標準的蕭特基二極體產品外,也能夠供應Super Low VF(VF<0.32V)和High Power(VB>300V)的蕭特基二極體,另外也可以依照客戶的要求設計符合客戶需求的產品,目前竹懋科技的Super Low VF和High Power Schottky Diode不僅獲得國內廠商廣泛的使用,也已獲得多家國際大廠的認證下單。 近年來,環保綠化和節能減碳是所有產業的熱門議題,各類電子產業均對電子產品的能源轉換效率提出更高的要求,竹懋科技不斷的努力改進產品品質且落實無鹵素製程以符合ROHS國際環保標準,並積極開發Super Low VF的蕭特基二極體,提升各類電子產品的能源轉換效率。竹懋科技相信唯有專業的技術、優良的品質、合宜的價格和快速的交期才能充份滿足客戶需求。
竹懋科技股份有限公司的商标信息
序号 注册号 商标 商标名 申请时间 商品服务列表 内容
1 11558878 CITC 2012-09-28 功率放大器;二极管;发光二极管;电子管;功率因数调整器;光电管;非照明用放电管;放大管;三极管;电晶体;晶片;半导体;半导体基板;矽晶体;集成电路;电子电路;半导体晶片;半导体元平;矽晶片;晶圆 查看详情
竹懋科技股份有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN103887168B 萧特基整流元件的制造方法及形成方法 2017.03.01 一种萧特基整流元件的制造方法及形成方法,包含于含n‑磊晶层/n+基板形成并图案化一绝缘层以定义主动区
2 TWI511305 萧特基整流元件之制造方法 2015.12.01
3 TW201501296 沟渠式MOS整流元件及其制造方法;STRUCTURE OF TRENCH MOS RECTIFIER AND METHOD OF FORMING THE SAME 2015.01.01 一种沟渠式MOS整流元件,包含:复数个沟渠平行形成于重掺杂的n+半导体基板上的n-磊晶层内,该复数个
4 TW201501298 沟槽型-垂直式双扩散金氧极体结构及其制造方法;STRUCTURE OF TRENCH-VERTICAL DOUBLE DIFFUSED MOS TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME 2015.01.01 一种沟槽型-垂直式双扩散金氧极体结构,包含:复数个沟渠平行形成于n-磊晶层内,沟渠氧化层形成于沟渠底
5 TW201501300 双沟渠式MOS电晶体结构及其制造方法;STRUCTURE OF DUALTRENCH MOS TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME 2015.01.01 双沟渠式MOS电晶体元件的结构包含由复数个主沟渠相间以平台,形成于重掺杂的n+半导体基板上的n-磊晶
6 TW201501297 双沟渠式整流器及其制造方法;STRUCTURE OF DUAL TRENCH RECTIFIER AND METHOD OF FORMING THE SAME 2015.01.01 双沟渠式MOS整流元件的结构包含复数个主沟渠平行形成于重掺杂的n+半导体基板上的n-磊晶层内,复数个
7 CN103887168A 萧特基整流元件的制造方法及形成方法 2014.06.25 一种萧特基整流元件的制造方法及形成方法,包含于含n-磊晶层/n+基板形成并图案化一绝缘层以定义主动区
8 CN103824774A 沟渠式MOS整流器及其制造方法 2014.05.28 本发明揭示一种沟渠式MOS整流元件结构,包含:一平面MOS整流结构形成于主动区的平台上,平台相邻的一
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